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SiC单晶片切割过程切割力的建模和预测

崔丹 李淑娟 胡超

崔丹, 李淑娟, 胡超. SiC单晶片切割过程切割力的建模和预测[J]. 机械科学与技术, 2014, 33(8): 1161-1166. doi: 10.13433/j.cnki.1003-8728.2014.0810
引用本文: 崔丹, 李淑娟, 胡超. SiC单晶片切割过程切割力的建模和预测[J]. 机械科学与技术, 2014, 33(8): 1161-1166. doi: 10.13433/j.cnki.1003-8728.2014.0810
Cui Dan, Li Shujuan, Hu Chao. Modeling and Prediction for Cutting Force in SiC Monocrystal Wafers Processing Process[J]. Mechanical Science and Technology for Aerospace Engineering, 2014, 33(8): 1161-1166. doi: 10.13433/j.cnki.1003-8728.2014.0810
Citation: Cui Dan, Li Shujuan, Hu Chao. Modeling and Prediction for Cutting Force in SiC Monocrystal Wafers Processing Process[J]. Mechanical Science and Technology for Aerospace Engineering, 2014, 33(8): 1161-1166. doi: 10.13433/j.cnki.1003-8728.2014.0810

SiC单晶片切割过程切割力的建模和预测

doi: 10.13433/j.cnki.1003-8728.2014.0810
基金项目: 

国家自然科学基金项目(51175420)

陕西省科技攻关项目(2010K09-01)

陕西省教育厅基金项目(11JK0849/11JS074)资助

详细信息
    作者简介:

    崔丹(1987-),硕士研究生,研究方向为硬脆材料的切割机理,xautcuidan@126.com;李淑娟(联系人),教授,博士生导师,shujuanli@xaut.edu.cn

    崔丹(1987-),硕士研究生,研究方向为硬脆材料的切割机理,xautcuidan@126.com;李淑娟(联系人),教授,博士生导师,shujuanli@xaut.edu.cn

Modeling and Prediction for Cutting Force in SiC Monocrystal Wafers Processing Process

  • 摘要: SiC单晶具有良好的物理和机械性能,在大功率器件和IC行业有广泛的应用。但由于高的硬度和脆性,使其加工过程变得非常困难。切割力对SiC单晶片的切割质量、切割效率和切割过程的稳定性具有重要的影响,因此研究切割过程的切割力有重要的意义。分析了SiC单晶切割过程影响切割力的主要因素,采用中心复合设计法(CCD)进行了试验设计,考察线锯速度、工件进给速度、工件转速、线锯张紧力4个因素对切割单晶SiC切割力的影响。采用响应面分析法(response surface methodology,RSM)对金刚石线锯切割SiC单晶体的工艺参数进行分析优化,建立了单晶SiC切割力模型,并进行方差分析,表明了模型的可行性。并通过实验验证,结果表明该模型能有效的对切割过程中的切割力进行预测。
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  • 收稿日期:  2013-03-25

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