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Si3N4陶瓷引弧微爆炸加工温度场模拟

田欣利 林克凌 薛春芳 张保国 郭昉

田欣利, 林克凌, 薛春芳, 张保国, 郭昉. Si3N4陶瓷引弧微爆炸加工温度场模拟[J]. 机械科学与技术, 2012, 31(2): 173-177.
引用本文: 田欣利, 林克凌, 薛春芳, 张保国, 郭昉. Si3N4陶瓷引弧微爆炸加工温度场模拟[J]. 机械科学与技术, 2012, 31(2): 173-177.
Tian Xin-li, Lin Ke-ling, Xue Chun-fang, Zhang Bao-guo, Guo Fang. Numerical Simulation of Temperature for Si3N4 Ceramics During Micro-detonation of Arc Strike Machining[J]. Mechanical Science and Technology for Aerospace Engineering, 2012, 31(2): 173-177.
Citation: Tian Xin-li, Lin Ke-ling, Xue Chun-fang, Zhang Bao-guo, Guo Fang. Numerical Simulation of Temperature for Si3N4 Ceramics During Micro-detonation of Arc Strike Machining[J]. Mechanical Science and Technology for Aerospace Engineering, 2012, 31(2): 173-177.

Si3N4陶瓷引弧微爆炸加工温度场模拟

基金项目: 

国家自然科学基金项目(51075399)资助

详细信息
    作者简介:

    田欣利(1956-),教授,博士生导师,研究方向为硬脆材料特种加工及精密加工的研究,tianxli719251@sohu.com

Numerical Simulation of Temperature for Si3N4 Ceramics During Micro-detonation of Arc Strike Machining

  • 摘要: 建立Si3N4陶瓷引弧微爆炸加工过程中温度场的数学模型,进一步明确了该新型加工技术的加工机理。基于有限元理论,利用工程数值模拟软件Patran和Nastran对Si3N4陶瓷引弧微爆炸加工的温度场分布进行了模拟,对加工后冲击凹坑的深度和宽度进行了预测,得到了不同加工参数对冲击凹坑形状的影响规律。仿真结果表明:Si3N4陶瓷引弧微爆炸加工的最高温度达到12 000℃以上,但高温影响区范围很小;其温度分布在加工区内随着脉冲持续时间的增加和加工电流的增大而增加,在加工区外温度保持室温不变。模拟结果为Si3N4陶瓷表面形貌的预测、引弧微爆炸加工机理的揭示、加工参数的合理选择等提供了理论依据。试验验证了仿真结果的正确性。
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-09-13
  • 刊出日期:  2015-06-10

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