留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于157nm激光的GaN外延片激光抛光和划片工艺研究

肖翔 戴玉堂 陈赛华 徐刚

肖翔, 戴玉堂, 陈赛华, 徐刚. 基于157nm激光的GaN外延片激光抛光和划片工艺研究[J]. 机械科学与技术, 2012, 31(10): 1588-1591.
引用本文: 肖翔, 戴玉堂, 陈赛华, 徐刚. 基于157nm激光的GaN外延片激光抛光和划片工艺研究[J]. 机械科学与技术, 2012, 31(10): 1588-1591.
Xiao Xiang, Dai Yutang, Chen Saihua, Xu Gang. Polishing and Scribing Technique of GaN Wafers Using 157 nm Laser[J]. Mechanical Science and Technology for Aerospace Engineering, 2012, 31(10): 1588-1591.
Citation: Xiao Xiang, Dai Yutang, Chen Saihua, Xu Gang. Polishing and Scribing Technique of GaN Wafers Using 157 nm Laser[J]. Mechanical Science and Technology for Aerospace Engineering, 2012, 31(10): 1588-1591.

基于157nm激光的GaN外延片激光抛光和划片工艺研究

基金项目: 

国家自然科学基金项目(50775169)

中央高校基本科研业务费专项资金项目(2011-YB-07)资助

详细信息
    作者简介:

    肖翔(1987-),硕士,研究方向为激光微加工和超精密数控加工等,xiaoxiangde1987@163.com;戴玉堂(联系人),教授,博士生导师,daivt@163.com

    肖翔(1987-),硕士,研究方向为激光微加工和超精密数控加工等,xiaoxiangde1987@163.com;戴玉堂(联系人),教授,博士生导师,daivt@163.com

Polishing and Scribing Technique of GaN Wafers Using 157 nm Laser

  • 摘要: 157 nm准分子激光的刻蚀精度高,热影响区极小,是较为理想的半导体材料微加工手段之一。通过大量实验对比,分析157 nm激光对GaN外延片抛光和划片加工过程中,各工艺参数对加工质量的影响。实验结果表明,157 nm激光抛光GaN外延片时,被刻蚀面单位面积累计辐射能量在一定范围内,会得到较好的表面粗糙度(Ra值约20 nm)。157 nm激光用于划片加工时,切槽内辐射的能量越高,残留物质越少,槽加工得越深,两侧壁面也更为陡峭;另外在扫描加工过程中适当地移动工作台高度,可以获得更好的加工效果。
  • [1] 王平. GaN材料的特性与应用[J].电子元器件应用,2001,(10):32-35.
    [2] 陈继民,徐向阳,肖荣诗. 激光现代制造技术[M].北京:国防工业出版社,2007
    [3] Cefalas A C. Current trends in 157nm dry lithograpy[J].Applied Surface Science,2005.577-583.
    [4] Dai Y T,Xu G,Li W L. Laser Micro-machining of wide bandgap materials[J].Current Advances in Materials and Processes,2009.118-122.
    [5] AkaneK T. F2 laser etching of GaN[J].Applied Surface Science,2000.335-339.
    [6] 黎子兰,胡晓东,章蓓. GaN基外延膜的激光剥离和InGaNLD外延膜的解理[J].激光技术,2004,(01):29-32.
    [7] Wei-Chi Lee. Enhanced light output of GaN-based vertical-structured light-emitting diodes with two-step surface roughening using KrF laser and chemical wet etching[J].IEEE Photonics Technology Letters,2010,(17):1318-1320.
    [8] 戴玉堂,徐刚,崔建磊,白帆. GaN基半导体材料的157nm激光微刻蚀[J].中国激光,2009,(12):3138-3142.
    [9] 杨伟,彭信翰,张骏. 紫外激光切割晶圆的工艺研究[J].电子工艺技术,2009,(01):37-40.d
    [10] 楼祺洪,章琳,叶震寰. 紫外激光切割si片的实验研究[J].激光技术,2002,(04):250-254.
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  217
  • HTML全文浏览量:  19
  • PDF下载量:  4
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2011-06-01
  • 刊出日期:  2015-06-10

目录

    /

    返回文章
    返回